Son yıllarda, yeni enerji kaynağı ve endüstrisinin gelişmesiyle birlikte, silikon bazlı teknolojiler gittikçe daha fazla dikkat çekmekte ve yeni bilim ve teknoloji devriminde her zaman önemli bir rol oynamaktadır. Bunun bir örneği, silikon bazlı malzemelerin yüzde 90'ın üzerinde pazar payına hükmettiği güneş enerjisi pazarıdır. enerji endüstrisindeki güçlü konumunu şu anda ve yakın gelecekte güvence altına almak için, silikon kristal büyüme teknikleri ve saflık ve verim artışı gibi, silisyumda sürekli iyileştirmeler yapıldı.

Yarı iletken malzemelerin ısıl difüzyonunun ve ısıl iletkenliğinin belirlenmesi bilimsel, teknik ve mühendislik işleri için esastır. Güneş enerjisi endüstrisindeki tahrik, üretilen pv modüllerinin verimliliğini arttırmaktır. Daha yüksek verim, termal iletkenliğin arttırılmış doğrudan bir işlevi olduğundan, bu değerleri belirleyebilmek önemlidir.

Bu örnekte, 0.7 mm kalınlığında bir silikon gofretin termostatik özellikleri, lfa 457microflash & reg; (Şekil 1). -100 ° C ila 500 ° C arasındaki sıcaklık aralığında, termal iletkenlik ve termal difüzivite sürekli olarak düşer. özgül ısı kapasitesi, diferansiyel taramalı kalorimetre (dsc 204 f1phoenix & reg;) ile belirlenmiştir. veri noktalarının standart sapması <% 1'dir.

Modern teknolojilerde kullanılan silikon gofretlerin saflığı en önemli kalite kontrol parametrelerinden biridir. Organik kirlenme, tga (termogravimetrik analiz), dsc (diferansiyel tarama kalorimetresi) veya tga-dsc'ye (sta, eşzamanlı termal analiz) bağlı bir gelişmiş gaz analizörü gibi termal analiz yöntemleri kullanılarak araştırılabilir. -180 ° C ila 2400 ° C arasındaki sıcaklıklarda birkaç tirelenmiş teknik mevcuttur. içerirler:

· Kılcal kaplin aracılığıyla tga, dsc veya sta-ms

· Tga, dsc veya sta-ms viaskimmer & reg; bağlama

· Tga, dsc veya sta-ft-ir

· Tga veya sta-gc-ms

bu hecelenmiş teknikler ayrıca bir termal analizöre aynı anda ms ve ft-ir bağlanmasını içerebilir.

burada, 449 f1jüpiter ve reg; kütle spektrometresi ile birleştirilir qmsaëolos & reg; kütle spektrometresi.

silikon gofretin sta-ms ölçümü; m / z 15,78 ve 51 kütle sayıları, 500 ila 800 santigrat arasındaki kütle kaybı adımına bağıntılı

Ezilmiş silikon gofret parçaları (1.6 g), büyük bir al203 potaya (hacim 3.4 mi) yerleştirildi. Numune, helyum altında 10 k / dakikalık bir ısıtma hızında 800 ° C'ye ısıtılmıştır. Organik bileşenlerin salınmasından dolayı 700 ° C'den önce çok küçük iki kütle kaybı adımı (% 0,002 ve% 0,008) gerçekleşir.

Net bir gösterimin sağlanması için, burada sadece m / z 15, 51 ve 78 kütle sayıları gösterilmektedir. bu kütle sayıları, gofretin epoksi reçine kaplamasının tipik parçalarıdır.

Silikon malzeme performansındaki artan talep ile birlikte deneysel analiz teknolojisi hızla gelişmektedir. Silikon malzemeler son yıllarda oldukça fazla gelişti ve bunun sonucunda analiz cihazı, tüketim malzemeleri de önemli ölçüde gelişti; bu, çelik, madencilik, kimya ve hatta tıp endüstrisi gibi diğer alanları da destekliyordu.